PDTA114YT

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PDTA114YT概述

NXP  PDTA114YT  单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 100 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 100 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 180MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.25W/250mW Description & Applications| Features and benefits • PNP resistor-equipped transistors • 100 mA output current capability • Reduces component count • Built-in bias resistors • Reduces pick and place costs • Simplifies circuit design • AEC-Q101 qualified Applications • Digital applications in automotive and industrial segments • Cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications • Control of IC inputs • Switching loads 描述与应用| 特点和优点 •PNP电阻配备 •100 mA的输出电流能力 •减少了元件数量 •内置偏置电阻 •减少取放成本 •简化电路设计 •通过AEC-Q101标准 应用 •数字应用在汽车和工业领域 •节省成本的替代BC847/857系列数字应用 •控制IC的输入 •负载开关

PDTA114YT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Automotive, Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

PDTA114YT引脚图与封装图
PDTA114YT引脚图
PDTA114YT封装图
PDTA114YT封装焊盘图
在线购买PDTA114YT
型号: PDTA114YT
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTA114YT  单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 100 hFE
替代型号PDTA114YT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTA114YT

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

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安森美

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PDTA114YT和MMUN2114LT1G的区别

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