PSMN008-75P,127参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN008-75P,127概述

TO-220AB N-CH 75V 75A

N-Channel 75V 75A Tc 230W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

PSMN008-75P,127中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 230 W

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 75A

输入电容Ciss 5260pF @25VVds

额定功率Max 230 W

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN008-75P,127

型号： PSMN008-75P,127

制造商： NXP 恩智浦

描述：TO-220AB N-CH 75V 75A

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替代型号PSMN008-75P,127

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PSMN008-75P,127 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
AUIRFZ44ZS 英飞凌	功能相似	PSMN008-75P,127和AUIRFZ44ZS的区别
AOT430 万代半导体	功能相似	PSMN008-75P,127和AOT430的区别

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