PHB38N02LT,118

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PHB38N02LT,118概述

D2PAK N-CH 20V 44.7A

表面贴装型 N 通道 20 V 44.7A(Tc) 57.6W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK


贸泽:
MOSFET TAPE13 MOSFET


PHB38N02LT,118中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 16 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 57.6 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 44.7A

上升时间 12.5 ns

输入电容Ciss 800pF @20VVds

下降时间 23 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 57.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 9.4 mm

高度 4.5 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PHB38N02LT,118
型号: PHB38N02LT,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:D2PAK N-CH 20V 44.7A
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