PHD22NQ20T,118概述
DPAK N-CH 200V 21.1A
N-Channel 200V 21.1A Tc 150W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
贸泽:
MOSFET RAIL PWR-MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 21.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
PHD22NQ20T,118中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 21.1A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1380pF @25VVds
下降时间 37 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free