PHD63NQ03LT,118概述
DPAK N-CH 30V 68.9A
N-Channel 30V 68.9A Tc 111W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 68.9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 68.9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
PHD63NQ03LT,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 111W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 68.9 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 920pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 111W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free