PHP129NQ04LT,127

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PHP129NQ04LT,127概述

TO-220AB N-CH 40V 75A

N-Channel 40V 75A Tc 200W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB


贸泽:
MOSFET TRENCHMOS TM FET


PHP129NQ04LT,127中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 200 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 75A

上升时间 145 ns

输入电容Ciss 3965pF @25VVds

下降时间 92 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHP129NQ04LT,127
型号: PHP129NQ04LT,127
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-220AB N-CH 40V 75A
替代型号PHP129NQ04LT,127
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