PHB193NQ06T,118概述
D2PAK N-CH 55V 75A
N-Channel 55V 75A Tc 300W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
贸泽:
MOSFET TRENCHMOS TM FET
PHB193NQ06T,118中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 51 ns
输入电容Ciss 5082pF @25VVds
下降时间 41 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 9.4 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free