PHB129NQ04LT,118概述
D2PAK N-CH 40V 75A
表面贴装型 N 通道 40 V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
贸泽:
MOSFET TRENCHMOS TM FET
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
PHB129NQ04LT,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 200 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 145 ns
输入电容Ciss 3965pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 92 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 9.4 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free