PHM30NQ10T,518参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHM30NQ10T,518概述

HVSON N-CH 100V 37.6A

N-Channel 100V 37.6A Tc 62.5W Tc Surface Mount 8-HVSON 6x5

得捷:
MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

贸泽:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

PHM30NQ10T,518中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 20 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 37.6A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3600pF @25VVds

下降时间 51 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 62.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 HVSON-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 0.85 mm

封装 HVSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHM30NQ10T,518

型号： PHM30NQ10T,518

描述：HVSON N-CH 100V 37.6A

替代型号PHM30NQ10T,518