PHD16N03T,118概述
DPAK N-CH 30V 13.1A
N-Channel 30V 13.1A Tc 32.6W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
贸泽:
MOSFET TAPE13 MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
PHD16N03T,118中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 100 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 32.6 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 13.1A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 180pF @30VVds
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 32.6W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free