PHK24NQ04LT,518概述
SO N-CH 40V 21.2A
表面贴装型 N 通道 21.2A（Tc） 6.25W（Tc） 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 40V 21.2A 8SO
贸泽:
MOSFET PHK24NQ04LT/SO8/REEL13DP//
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 21.2A 8-Pin SO T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 21.2A 8-SOIC
PHK24NQ04LT,518中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 7.7 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 6.25 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 21.2 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 2985pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 6.25W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.45 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free