PHB160NQ08T,118

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PHB160NQ08T,118概述

D2PAK N-CH 75V 75A

N-Channel 75V 75A Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


PHB160NQ08T,118中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 75A

上升时间 56 ns

输入电容Ciss 5585pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 48 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHB160NQ08T,118
型号: PHB160NQ08T,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:D2PAK N-CH 75V 75A
替代型号PHB160NQ08T,118
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