NXP PEMD3,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 230 MHz, 300 mW, 100 mA, 30 hFE
The is a 10kR NPN-PNP Resistor Equipped Transistor RET in an ultra-small and flat lead surface-mount plastic package.
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- Reduces component count
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- Built-in bias resistors
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- Reduces pick and place costs
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- Simplifies circuit design
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- AEC-Q101 qualified
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- PNP-PNP complement is PEMB11
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- NPN-NPN complement is PEMH11
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- D3 Marking code
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-666-6
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PEMD3,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
NSBC114YPDXV6T1G 安森美 | 功能相似 | PEMD3,115和NSBC114YPDXV6T1G的区别 |
NSBC114EPDXV6T1G 安森美 | 功能相似 | PEMD3,115和NSBC114EPDXV6T1G的区别 |
NSBC143ZPDXV6T1G 安森美 | 功能相似 | PEMD3,115和NSBC143ZPDXV6T1G的区别 |