PMWD19UN,518

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PMWD19UN,518概述

TSSOP N-CH 30V 5.6A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.6A 8-Pin TSSOP T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP


PMWD19UN,518中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.6A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 1478pF @10VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMWD19UN,518
型号: PMWD19UN,518
制造商: NXP 恩智浦
描述:TSSOP N-CH 30V 5.6A

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