PMWD26UN,518概述
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 7.8A 3.1W 表面贴装型 8-TSSOP
得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
贸泽:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.8A 8-Pin TSSOP T/R
Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
PMWD26UN,518中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 30 mΩ
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 1366pF @16VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 4.5 mm
高度 0.95 mm
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free