PMWD20XN,118概述
TSSOP N-CH 20V 10.4A
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 10.4A 4.2W 表面贴装型 8-TSSOP
得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP
贸泽:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP
PMWD20XN,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 4.2 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 10.4A
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 740pF @16VVds
额定功率Max 4.2 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-8
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 4.5 mm
高度 0.95 mm
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free