PMDPB55XP

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PMDPB55XP概述

NXP  PMDPB55XP  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.055 ohm, -4.5 V, -650 mV

The is a dual P-channel enhancement-mode FET in a small and leadless ultra thin surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for DC-to-DC converters and small brushless DC motor drive applications.

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Very fast switching characteristics
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Exposed drain pad for excellent thermal conduction
PMDPB55XP中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.055 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 490 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOT-1118

外形尺寸

封装 SOT-1118

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 Power Management, Portable Devices, Industrial, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: PMDPB55XP
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PMDPB55XP  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.055 ohm, -4.5 V, -650 mV

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