PBSS4350X

NXP  PBSS4350X  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 550 mW, 3 A, 300 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 700 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 80mV~370mV 耗散功率PcPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| 50 V, 3 A NPN low VCEsat BISS transistor FEATURES • SOT89 SC-62 package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit board requirements. APPLICATIONS • Power management – DC/DC converters – Supply line switching – Battery charger – LCD backlighting. • Peripheral drivers – Driver in low supply voltage applications e.g. lamps and LEDs. – Inductive load driver e.g. relays, buzzers and motors. DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package. 描述与应用| 50 V，3 A NPN低VCEsat（BISS） 特点 •SOT89（SC-62）封装 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 •高集电极电流能力：IC和ICM •更高的效率，导致产生的热量少 •减少印刷电路板的要求。 应用 •电源管理 - DC/ DC转换器 - 电源线开关 - 电池充电器 - LCD背光。 •外设驱动程序 - 驱动器，在低电源电压应用（如灯 和LED）。 - 感性负载驱动器（如继电器， 蜂鸣器和电机）。 说明 NPN低VCEsat  晶体管塑料封装为SOT89。