PMDT290UNE概述
NXP PMDT290UNE 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 800 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV
The is a dual N-channel enhancement-mode FET in an ultra small and flat lead surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- .
- Very fast switching characteristics
- .
- ESD protection up to 2kV
PMDT290UNE中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.29 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 750 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.8A
输入电容Ciss 55pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.09 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-666
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PMDT290UNE
型号： PMDT290UNE
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PMDT290UNE 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 800 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV