PSMN9R5-100PS参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN9R5-100PS概述

NXP PSMN9R5-100PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 100 V, 8.16 mohm, 10 V, 3 V

The is a N-channel MOSFET suitable for standard level gate drive sources. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.

.: High efficiency due to low switching and conduction losses

.: -55 to 175°C Junction temperature range

PSMN9R5-100PS中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.00816 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 211 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 4454pF @50VVds

额定功率Max 211 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 211 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 4.7 mm

高度 16 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PSMN9R5-100PS

型号： PSMN9R5-100PS

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP PSMN9R5-100PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 100 V, 8.16 mohm, 10 V, 3 V

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