PMMT491A

NXP  PMMT491A  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 mW, 1 A, 300 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 900 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~500mV 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN BISS transistor FEATURES • High current max. 1 A • Low collector-emitter saturation voltage ensures reduced power consumption. APPLICATIONS • Battery powered units where high current and low power consumption are important. DESCRIPTION NPN BISS Breakthrough In Small Signal transistor in a SOT23 plastic package. 描述与应用| NPN BISS 特点 •高电流（最大1 A） •低集电极 - 发射极饱和电压确保 降低功耗。 应用 •电池供电的设备，如高电流和低功耗 消耗是重要的。 说明 NPN突破性小信号（BISS）晶体管的 SOT23塑料包装。