NXP PBSS306PZ,135 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 700 mW, -4.1 A, 300 hFE
The is a 4.1A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor in a small surface-mount plastic package with increases heat-sink.
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capability IC and ICM
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- High collector current gain hFE at high IC
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- High efficiency due to less heat generation
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- Smaller printed-circuit board PCB area than for conventional transistors
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- AEC-Q101 qualified
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- NPN complement is PBSS306NZ
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- S306PZ Marking code
频率 100 MHz
针脚数 4
极性 PNP
耗散功率 700 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4.1A
最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V
最大电流放大倍数hFE 200 @0.5A, 2V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS306PZ,135 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
FZT953 威世 | 功能相似 | PBSS306PZ,135和FZT953的区别 |
PBSS306PZ 安世 | 功能相似 | PBSS306PZ,135和PBSS306PZ的区别 |