PDTA114YE,115

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PDTA114YE,115概述

NXP  PDTA114YE,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE

The is a 10 to 47kR PNP Resistor Equipped Transistor RET in an ultra-small surface-mount plastic package.

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Reduces component count
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Built-in bias resistors
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Reduces pick and place costs
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Simplifies circuit design
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AEC-Q101 qualified
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NPN complement is PDTC114YE
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36 Marking code
PDTA114YE,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTA114YE,115
型号: PDTA114YE,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTA114YE,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE
替代型号PDTA114YE,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTA114YE,115

NXP 恩智浦

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