NXP PDTA114YE,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE
The is a 10 to 47kR PNP Resistor Equipped Transistor RET in an ultra-small surface-mount plastic package.
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
封装 SOT-416-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PDTA114YE,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA114YET1G 安森美 | 功能相似 | PDTA114YE,115和DTA114YET1G的区别 |
PDTA114YE 飞利浦 | 功能相似 | PDTA114YE,115和PDTA114YE的区别 |