NXP PMGD780SN,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V
The is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for driver circuits and switching in portable appliances applications. The device offers 40% smaller footprint.
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- Fast switching speed
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- Low ON-state resistance
针脚数 6
漏源极电阻 0.78 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 410 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 490 mA
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 23pF @30VVds
额定功率Max 410 mW
下降时间 2.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.41 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-323-6
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Portable Devices, Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMGD780SN,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
DMN601DWK-7 美台 | 功能相似 | PMGD780SN,115和DMN601DWK-7的区别 |
PMGD780SN 恩智浦 | 功能相似 | PMGD780SN,115和PMGD780SN的区别 |