PMN20EN,115概述
NXP PMN20EN,115 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.016Ω, 6.7A, TSOP-6
N-Channel 30V 6.7A Tj 545mW Ta Surface Mount 6-TSOP
得捷:
MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP
e络盟:
NXP PMN20EN,115 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.016Ω, 6.7A, TSOP-6
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A 6-Pin TSOP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A 6-Pin TSOP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A 6-Pin TSOP T/R
PMN20EN,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.39 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 630pF @15VVds
额定功率Max 545 mW
下降时间 85 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 545mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
外形尺寸
封装 TSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free