PSMN3R9-60PS概述
NXP PSMN3R9-60PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 60 V, 0.00294 ohm, 10 V, 3 V
The is a 60V standard level N-channel MOSFET uses TrenchMOS technology. High efficiency due to low switching, conduction losses and robust construction for demanding applications such as battery powered tools, motor control and UPS controls.
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- 175°C Junction temperature
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- Standard level gate
PSMN3R9-60PS中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.00294 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 263 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Industrial, Power Management, 工业, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 电源管理
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PSMN3R9-60PS
型号： PSMN3R9-60PS
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PSMN3R9-60PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 60 V, 0.00294 ohm, 10 V, 3 V