PMGD290UCEA概述
NXP PMGD290UCEA 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 725 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV
The is a complementary N/P-channel enhancement-mode FET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- .
- Very fast switching characteristics
Newark:
# NXP PMGD290UCEA MOSFET Transistor, N and P Channel, 725 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV
PMGD290UCEA中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.29 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 445 mW
阈值电压 750 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.725A/0.5A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Industrial, Automotive, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PMGD290UCEA
型号： PMGD290UCEA
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PMGD290UCEA 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 725 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV