PSMN7R8-120PS

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PSMN7R8-120PS概述

NXP  PSMN7R8-120PS  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 120 V, 0.0062 ohm, 10 V, 3 V

The is a N-channel MOSFET suitable for standard level gate drive. It is designed and qualified for use in a wide range of AC-to-DC power supply, synchronous rectification and power supply equipment applications.

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High efficiency due to low switching and conduction losses
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-55 to 175°C Junction temperature range
PSMN7R8-120PS中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0062 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 349 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 70A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: PSMN7R8-120PS
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PSMN7R8-120PS  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 120 V, 0.0062 ohm, 10 V, 3 V

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