PBHV8540Z,115中文资料参数规格
技术参数
频率 30 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 700 mW
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10 @300mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V
额定功率Max 1.4 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PBHV8540Z,115
型号： PBHV8540Z,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PBHV8540Z,115 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 700 mW, 500 mA, 200 hFE
替代型号PBHV8540Z,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBHV8540Z,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BZX79-C6V8 恩智浦 | 功能相似 | PBHV8540Z,115和BZX79-C6V8的区别 |
PBHV8540Z 恩智浦 | 功能相似 | PBHV8540Z,115和PBHV8540Z的区别 |