NXP PMV32UP 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -700 mV
The is a P-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, High-side load-switch and switching circuit applications.
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- 1.8V Drain-source ON-state resistance rated
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- Very fast switching
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- -55 to 150°C Junction temperature range
针脚数 3
漏源极电阻 0.032 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 510 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.415 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMV32UP NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
SI2323DS-T1-E3 威世 | 功能相似 | PMV32UP和SI2323DS-T1-E3的区别 |