PSMN4R5-30YLC,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 5
漏源极电阻 0.0051 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 61 W
阈值电压 1.54 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 84A
上升时间 18.7 ns
输入电容Ciss 1324pF @15VVds
额定功率Max 61 W
下降时间 8.75 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 61W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669-4
外形尺寸
封装 SOT-669-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 PB free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PSMN4R5-30YLC,115
型号： PSMN4R5-30YLC,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PSMN4R5-30YLC,115 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.0051Ω, 84A, SOT-669-5