PMBFJ174,215

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PMBFJ174,215概述

NXP  PMBFJ174,215  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFET

P 通道 JFET,


得捷:
JFET P-CH 30V SOT23


欧时:
P 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


贸泽:
JFET JFET P-CH 30V 5MA


e络盟:
NXP  PMBFJ174,215.  射频场效应管, JFET, N沟道, 30V, 135MA, 3-SOT-23


艾睿:
Trans JFET P-CH 30V 135mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
PMBFJ174 Series 30 V 20 mA P-Channel Silicon Field-Effect Transistor - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans JFET P-CH 30V 135mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET P-CH 30V 135mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  PMBFJ174,215  JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFET


Win Source:
JFET P-CH 30V 0.3W SOT23


PMBFJ174,215中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 30.0 V

漏源极电阻 85 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 300 mW

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 30 V

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 8pF @10VVgs

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial, Power Management, Industrial, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMBFJ174,215
型号: PMBFJ174,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PMBFJ174,215  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFET
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