PMBFJ175,215

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PMBFJ175,215概述

NXP  PMBFJ175,215  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23, JFET

P 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET P-CH 30V SOT23


欧时:
NXP PMBFJ175,215 P通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 7 → 70mA, 3引脚 SOT-23封装


e络盟:
晶体管, JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23, JFET


艾睿:
Trans JFET P-CH 30V 70mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans JFET P-CH 30V 70mA 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET P-CH 30V 70mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  PMBFJ175,215  JFET Transistor, JUNCTION FIELD EFFECT, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23


Win Source:
JFET P-CH 30V 0.3W SOT23


PMBFJ175,215中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 30.0 V

漏源极电阻 125 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 300 mW

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 70.0 mA

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 8pF @10VVgs

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 工业, Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMBFJ175,215
型号: PMBFJ175,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PMBFJ175,215  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23, JFET
替代型号PMBFJ175,215
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