PBLS6023D概述
NXP PBLS6023D 单晶体管 双极, NPN, PNP, -60 V, 150 MHz, 480 mW, -1.5 A, 285 hFE
The is a 1.5A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor housed in a surface-mount plastic package.
- .
- Low VCEsat and resistor-equipped transistor in one package
- .
- Space-saving solution
- .
- Reduction of component count
- .
- AEC-Q101 qualified
- .
- Low threshold voltage <1V compared to MOSFET
- .
- KG Marking code
PBLS6023D中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 480 mW
击穿电压集电极-发射极 50V, 60V
集电极最大允许电流 100mA/1.5A
直流电流增益hFE 285
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Automotive, Portable Devices, Industrial, Consumer Electronics, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PBLS6023D
型号： PBLS6023D
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PBLS6023D 单晶体管 双极, NPN, PNP, -60 V, 150 MHz, 480 mW, -1.5 A, 285 hFE