PESD5V0S2UQ,115

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PESD5V0S2UQ,115中文资料参数规格
技术参数

电容 215 pF

击穿电压 6.8 V

通道数 2

针脚数 3

耗散功率 150 W

钳位电压 20 V

测试电流 5 mA

脉冲峰值功率 150 W

最小反向击穿电压 6.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-663

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-663

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PESD5V0S2UQ,115
型号: PESD5V0S2UQ,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PESD5V0S2UQ,115  二极管, TVS, SOT-663
替代型号PESD5V0S2UQ,115
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