PMN27UP概述
NXP PMN27UP 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.7 A, -20 V, 0.027 ohm, -4.5 V, -700 mV
The is a P-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, High-side load-switch and switching circuit applications.
- .
- 1.8V RDS ON rated
- .
- Very fast switching
- .
- -55 to 150°C Junction temperature range
PMN27UP中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 540 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 5.7A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 6.25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Power Management, Industrial, Automation & Process Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PMN27UP
型号： PMN27UP
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PMN27UP 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.7 A, -20 V, 0.027 ohm, -4.5 V, -700 mV