PSMN8R0-40PS参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN8R0-40PS概述

NXP PSMN8R0-40PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 40 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V

The is a N-channel MOSFET suitable for standard level gate drive sources. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC convertors, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.

.: High efficiency due to low switching and conduction losses

.: -55 to 175°C Junction temperature range

PSMN8R0-40PS中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 6.2 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 86 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 77A

输入电容Ciss 1262pF @12VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 86 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 4.7 mm

高度 16 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 Industrial, Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PSMN8R0-40PS

型号： PSMN8R0-40PS

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP PSMN8R0-40PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 40 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V

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