PBLS6022D概述
NXP PBLS6022D 单晶体管 双极, NPN, PNP, -60 V, 150 MHz, 480 mW, -1.5 A, 285 hFE
The is a 1.5A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor housed in a surface-mount plastic package.
- .
- Low VCEsat and resistor-equipped transistor in one package
- .
- Space-saving solution
- .
- Reduction of component count
- .
- AEC-Q101 qualified
- .
- Low threshold voltage <1V compared to MOSFET
- .
- KF Marking code
PBLS6022D中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 480 mW
击穿电压集电极-发射极 50V, 60V
集电极最大允许电流 100mA/1.5A
直流电流增益hFE 285
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Automotive, Consumer Electronics, Portable Devices, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PBLS6022D
型号： PBLS6022D
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PBLS6022D 单晶体管 双极, NPN, PNP, -60 V, 150 MHz, 480 mW, -1.5 A, 285 hFE