PBSS5420D,115

PBSS5420D,115图片1
PBSS5420D,115图片2
PBSS5420D,115图片3
PBSS5420D,115图片4
PBSS5420D,115图片5
PBSS5420D,115图片6
PBSS5420D,115图片7
PBSS5420D,115图片8
PBSS5420D,115图片9
PBSS5420D,115中文资料参数规格
技术参数

频率 80 MHz

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 1.1 W

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 200 @2A, 2V

最大电流放大倍数hFE 250 @0.5A, 2V

额定功率Max 1.1 W

直流电流增益hFE 400

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

宽度 1.7 mm

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBSS5420D,115
型号: PBSS5420D,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PBSS5420D,115  单晶体管 双极, PNP, -20 V, 80 MHz, 1.1 W, -4 A, 400 hFE
替代型号PBSS5420D,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS5420D,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PBSS301PD,115

恩智浦

功能相似

PBSS5420D,115和PBSS301PD,115的区别

ZXT13P12DE6

威世

功能相似

PBSS5420D,115和ZXT13P12DE6的区别

PBSS5420D

安世

功能相似

PBSS5420D,115和PBSS5420D的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台