PBSS4021PT

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PBSS4021PT概述

PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

The is a 3.5A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor in a small surface-mount plastic package.

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Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
.
High collector current capability IC and ICM
.
High collector current gain hFE at high IC
.
High energy efficiency due to less heat generation
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Smaller required printed-circuit board PCB area than for conventional transistors
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AEC-Q101 qualified
.
NPN complement is PBSS4021NT
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BJ Marking code
PBSS4021PT中文资料参数规格
技术参数

频率 155 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 390 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 3.5A

最小电流放大倍数hFE 30

直流电流增益hFE 320

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Automotive, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBSS4021PT
型号: PBSS4021PT
制造商: NXP 恩智浦
描述:PNP 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PBSS4021PT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS4021PT

NXP 恩智浦

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PBSS4041PT

恩智浦

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