PHE13007

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PHE13007中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 700 V

额定电流 8.00 A

击穿电压集电极-发射极 400 V

最小电流放大倍数hFE 8 @2A, 5V

额定功率Max 80 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHE13007
型号: PHE13007
制造商: NXP 恩智浦
描述:硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor
替代型号PHE13007
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PHE13007

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

ST13007D

意法半导体

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PHE13007和ST13007D的区别

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