PMCPB5530X概述
NXP PMCPB5530X 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.3 A, 20 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 650 mV
The is a N/P-channel complementary enhancement-mode FET in a small and leadless ultra thin surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for DC-to-DC converters and small brushless DC motor drive applications.
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- Very fast switching characteristics
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- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
PMCPB5530X中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.026 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.17 W
阈值电压 650 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4A
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1170 mW
封装参数
引脚数 8
封装 SOT-1118
外形尺寸
封装 SOT-1118
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, Portable Devices, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PMCPB5530X
型号： PMCPB5530X
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PMCPB5530X 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.3 A, 20 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 650 mV