PBSS8110X

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PBSS8110X概述

NXP  PBSS8110X  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 2 W, 1 A, 150 hFE

The is a 1A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.

.
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
.
High collector current capability IC and ICM
.
High efficiency leading to less heat generation
.
PNP complement is PBSS9110X
.
4B Marking code
PBSS8110X中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 80

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Industrial, Signal Processing, Communications & Networking, Motor Drive & Control, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBSS8110X
型号: PBSS8110X
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PBSS8110X  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 2 W, 1 A, 150 hFE
替代型号PBSS8110X
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