PDTA115ET参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PDTA115ET中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

最小电流放大倍数hFE 80

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

PDTA115ET引脚图与封装图

PDTA115ET引脚图

PDTA115ET封装图

PDTA115ET封装焊盘图

在线购买PDTA115ET

型号： PDTA115ET

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP PDTA115ET 单晶体管双极, BRT, PNP, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFE

替代型号PDTA115ET

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PDTA115ET

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PDTA115EU

恩智浦

完全替代

PDTA115ET和PDTA115EU的区别

PDTA115ET,215

恩智浦

功能相似

PDTA115ET和PDTA115ET,215的区别