PMV30UN,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMV30UN,215概述

NXP PMV30UN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 700 mV

表面贴装型 N 通道 20 V 5.7A（Tc） 1.9W（Tc） SOT-23（TO-236AB）

得捷:
MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 3-Pin TO-236AB T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 3-Pin TO-236AB T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23

PMV30UN,215中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.9 W

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.70 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 460pF @20VVds

额定功率Max 1.9 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 1.9W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMV30UN,215

型号： PMV30UN,215

描述：NXP PMV30UN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 700 mV

替代型号PMV30UN,215