PESD5V0S1BB,115

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PESD5V0S1BB,115中文资料参数规格
技术参数

电容 45 pF

击穿电压 9.5 V

电路数 1

针脚数 2

耗散功率 130 W

钳位电压 14 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 9.5 V

脉冲峰值功率 130 W

最小反向击穿电压 5.5 V

击穿电压 5.5 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-523

外形尺寸

长度 1.25 mm

宽度 0.85 mm

高度 0.65 mm

封装 SOD-523

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PESD5V0S1BB,115
型号: PESD5V0S1BB,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PESD5V0S1BB,115  二极管, TVS, SOD-523
替代型号PESD5V0S1BB,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PESD5V0S1BB,115

NXP 恩智浦

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当前型号

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