PDTC114YT,215

PDTC114YT,215图片1
PDTC114YT,215图片2
PDTC114YT,215图片3
PDTC114YT,215图片4
PDTC114YT,215图片5
PDTC114YT,215图片6
PDTC114YT,215图片7
PDTC114YT,215图片8
PDTC114YT,215图片9
PDTC114YT,215图片10
PDTC114YT,215图片11
PDTC114YT,215图片12
PDTC114YT,215图片13
PDTC114YT,215图片14
PDTC114YT,215概述

NXP  PDTC114YT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-23

The is a NPN Resistor Equipped Transistor RET housed in small surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with control of IC inputs, cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications and switching load applications.

.
100mA Output current capability
.
Reduces component count
.
AEC-Q101 Qualified
PDTC114YT,215中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTC114YT,215
型号: PDTC114YT,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PDTC114YT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-23
替代型号PDTC114YT,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTC114YT,215

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

MMUN2211LT1G

安森美

功能相似

PDTC114YT,215和MMUN2211LT1G的区别

DTC114EET1G

安森美

功能相似

PDTC114YT,215和DTC114EET1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台