PSMN015-60BS

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PSMN015-60BS概述

NXP  PSMN015-60BS  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0126 ohm, 10 V, 3 V

The is a N-channel MOSFET suitable for standard level gate drive sources. It is designed and qualified for use in a wide range of load switching, server power supplies, DC-to-DC converters and domestic equipment applications.

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High efficiency due to low switching and conduction losses
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-55 to 175°C Junction temperature range
PSMN015-60BS中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0126 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 86 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 1220pF @30VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 86 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 11 mm

高度 4.5 mm

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 Industrial, Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 Exempt

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PSMN015-60BS
型号: PSMN015-60BS
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PSMN015-60BS  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0126 ohm, 10 V, 3 V
替代型号PSMN015-60BS
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PSMN015-60BS

NXP 恩智浦

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