PMBFJ620,115

PMBFJ620,115图片1
PMBFJ620,115图片2
PMBFJ620,115图片3
PMBFJ620,115图片4
PMBFJ620,115图片5
PMBFJ620,115图片6
PMBFJ620,115图片7
PMBFJ620,115图片8
PMBFJ620,115图片9
PMBFJ620,115图片10
PMBFJ620,115图片11
PMBFJ620,115图片12
PMBFJ620,115图片13
PMBFJ620,115图片14
PMBFJ620,115概述

PMBFJ620,115 双 N通道 JFET 晶体管 25 V, 6引脚 UMT封装 24 → 60mA

JFET 2 N-通道(双) 表面贴装型 6-TSSOP


得捷:
JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP


欧时:
N 通道 JFET,NXP JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


艾睿:
The simplest type of field-effect transistor is this PMBFJ620,115 JFET from NXP Semiconductors. Its maximum power dissipation is 190 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. It is made in a dual configuration. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 25V 6-Pin TSSOP T/R


Win Source:
JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP


PMBFJ620,115中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 -25.0 V

漏源极电阻 50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 mW

漏源极电压Vds 25 V

击穿电压 25 V

输入电容Ciss 5pF @10VVds

额定功率Max 190 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-323-6

外形尺寸

封装 SOT-323-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PMBFJ620,115
型号: PMBFJ620,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PMBFJ620,115 双 N通道 JFET 晶体管 25 V, 6引脚 UMT封装 24 → 60mA
替代型号PMBFJ620,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMBFJ620,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PMBFJ620

恩智浦

功能相似

PMBFJ620,115和PMBFJ620的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司