NXP PMBT5551,215 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 30 hFE
Bipolar BJT Transistor
得捷:
TRANS NPN 160V 300MA SOT23
欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
富昌:
PMBT5551 系列 160 V 300 mA 表面贴装 NPN 高压 晶体管 - SOT-23-3
Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
# NXP PMBT5551,215 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 160 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 80 hFE
频率 300 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PMBT5551,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BSR19A,215 恩智浦 | 类似代替 | PMBT5551,215和BSR19A,215的区别 |
PMBT5551,235 恩智浦 | 类似代替 | PMBT5551,215和PMBT5551,235的区别 |