PMBT5551,215

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PMBT5551,215概述

NXP  PMBT5551,215  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 30 hFE

Bipolar BJT Transistor


得捷:
TRANS NPN 160V 300MA SOT23


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors


艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
PMBT5551 系列 160 V 300 mA 表面贴装 NPN 高压 晶体管 - SOT-23-3


Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  PMBT5551,215  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 160 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 80 hFE


PMBT5551,215中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMBT5551,215
型号: PMBT5551,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PMBT5551,215  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 30 hFE
替代型号PMBT5551,215
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